가시광선을 80% 이상 투과시키는 투명 메모리 소자 제작기술을 개발


고려대 전기전자공학부 연구팀은 '환원된 그래핀산화물'에 'Dip-Coatig' 법을 이용해 ReRAM(Resistive Random Access Memory) 소자를 만들었다. 한 개의 소자에 4개의 정보를 저장할 수 있고, 10만회 이상의 시험구동을 통과했다. 85℃ 고온 환경에서도 10만초 이상 정보저장 능력을 보였다.


더불어 기존 개발된 메모리 소자들이 초기에 소정의 전압을 인가해야 하는 포밍작업(저항변화 물질은 초기 저항 스위칭 특성을 보이지 않기 때문에 일정 전압을 인가해 소자를 활성화하는 과정)을 거쳐야 하는데 반해, 새로 개발된 것은 포밍과정 없이도 저항스위칭이 가능하다는 점이 특징이다.
이로 인해 초기 포밍 과정에서 발생하는 열화 현상도 해결했다


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Posted by TopARA

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